KVR32S22S8/8 - Memória de 8GB SODIMM DDR4 3200Mhz 1,2V 1Rx8 para noteb

8GB 1Rx8 1G x 64-Bit PC4-3200 CL22 260-Pin SODIMM Descrição:Este documento descreve a memória ValueRAMM KVR32S22S8/8 sendo uma  SDRAM DDR4-3200 CL22 de 1G x 64 bits (8GB) (DRAM síncrona), 1Rx8, módulo de memória, baseado em oito componentes FBGA de 1G x 8 bits. O SPD é programado para o tempo de latência DDR4-3200 padrão JEDEC de 22-22-22 a 1,2V. Cada DIMM de 260 pinos usa contatos dourados. As especificações elétricas e mecânicas são as seguintes:Características:• Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico• VDDQ = 1.2V típico• VPP = 2.5V típico• VDDSPD = 2.2V a 3.6V• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara• Atualização automática de baixa potência (LPASR)• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados• Geração e calibração VREFDQ na matriz• Classificação única• EEPROM de detecção de presença serial (SPD)
8GB 1Rx8 1G x 64-Bit PC4-3200 CL22 260-Pin SODIMM Descrição:Este documento descreve a memória ValueRAMM KVR32S22S8/8 sendo uma  SDRAM DDR4-3200 CL22 de 1G x 64 bits (8GB) (DRAM síncrona), 1Rx8, módulo de memória, baseado em oito componentes FBGA de 1G x 8 bits. O SPD é programado para o tempo de latência DDR4-3200 padrão JEDEC de 22-22-22 a 1,2V. Cada DIMM de 260 pinos usa contatos dourados. As especificações elétricas e mecânicas são as seguintes:Características:• Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico• VDDQ = 1.2V típico• VPP = 2.5V típico• VDDSPD = 2.2V a 3.6V• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara• Atualização automática de baixa potência (LPASR)• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados• Geração e calibração VREFDQ na matriz• Classificação única• EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada• Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)• BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)• Topologia de passagem• Comando de controle terminado e barramento de endereço• PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm)• Compatível com RoHS e sem halogênio Especificações:CL (IDD) = 22 ciclosTempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.)Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.)Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.)Classificação UL: 94V - 0Temperatura de operação: 0ºC a +85ºCTemperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC 

Memória Notebook Kingston 8GB DDR4 3200Mhz 1.2V SODIMM

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